半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)中的重要材料，而半導(dǎo)體材料根據(jù)其化學(xué)組分的不同分為元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體和固溶體等若干類，其中化合物半導(dǎo)體由于它獨(dú)特的特性而得到迅速的發(fā)展。

　　化合物半導(dǎo)體分為有機(jī)化合物半導(dǎo)體和無機(jī)化合物半導(dǎo)體兩種。由于有機(jī)化合物半導(dǎo)體至今尚未得到應(yīng)用，故當(dāng)今人們所稱的化合物半導(dǎo)體主要指的是無機(jī)化合物半導(dǎo)體。

　　現(xiàn)在已知的化合物半導(dǎo)體有60()種以上，但真正獲得實(shí)際應(yīng)用的不過十幾種。如磷化稼(GaP)、砷化稼(GaAs )、磷化錮(InP )、銻化稼(GaSb )、銻化錮( InSb )、氮化稼(GaN),碳化硅(sic)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe) ,蹄化鍋( CdTe )、硫化鍋(CdS)和硫化鉛(PbS)等等。化合物半導(dǎo)體得到廣泛應(yīng)用的是化合物的固溶體，如稼鋁砷(GaA1As)、稼砷磷(GaAsP)、蹄鍋汞(H邪dTe)、錮嫁砷磷(InGaAsP)等。

　　化合物半導(dǎo)體具備硅(Si)所不具備或不完全具備的性能，例如，硅(Si)不能發(fā)光，遷移率不高，禁帶寬度局限等，而化合物半導(dǎo)體則不同，它可以發(fā)出不同波長的光，有不同寬的禁帶，所以微波毫米器件和交流交頻器件多用化合物半導(dǎo)體。

　　半導(dǎo)體工業(yè)中用的磷化物主要有InP, GaP及磷化物與InAsP, InAs或GaA。等等及它們的固溶體分別制成太陽能電池(InP/InCdS或InGaAsP/InP)、場效應(yīng)晶體管FET ( FieldEffect Transistor)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、微波IC、激光管、光探測器、超高速電路、發(fā)光二極管(GaP, GaAsP)、磁敏、光敏器件等等分別應(yīng)用于微波通信、光通信、計算機(jī)、顯示裝置、消費(fèi)類電子和傳感器等。

　　目前已經(jīng)掌握了磷化嫁、磷化錮的水平及直拉法摻雜砷化嫁單晶的生長技術(shù)、全液相合成多晶技術(shù)及液封直拉法、LEC (Liquid Encapsulate Czochralski)法，2一3英寸低位錯GaP單晶生長技術(shù)。